109与我厂合作研制出国内第一台接触式光刻机

中国光刻机技术的起源可以追溯到上世纪六十年代，那是一个科技探索与创新的时代。1966年，中国科学院下属的109厂与上海光学仪器厂携手合作，共同迈出了历史性的一步，成功研制出我国首台65型接触式光刻机。这不仅是技术上的突破，更标志着中国在半导体制造领域的初步探索，当时由上海无线电专用设备厂负责将其推向量产阶段。

接触式光刻机作为光刻技术的开山之作，开启了光刻机技术的演进之路。从最初的接触式，光刻技术逐渐发展到接近式，这种技术通过掩膜与晶圆不直接接触，避免了污染和磨损的问题。随后，更为先进的分步重复式光刻机问世，它能够进行多次曝光，提高了生产效率和精度。进入八十年代，倍投影光刻技术和步进式缩小投影光刻技术相继出现，极大地提升了光刻的分辨率和产量。

步进扫描式投影光刻机的出现，进一步推动了光刻技术的精密化和自动化，使得大规模集成电路的制造成为可能。而到了二十一世纪，极紫外光刻机（EUV）成为了全球光刻技术的最前沿。EUV光刻机采用13.5纳米波长的极紫外光线，能够实现纳米级别的精细图案转移，是目前制造最先进半导体芯片不可或缺的关键设备。

中国光刻机技术的发展历程见证了从无到有，从简陋到先进的跨越。尽管在某些高端光刻技术上，如EUV光刻机，中国与世界领先水平仍有差距，但国产光刻机的技术进步和自主研发能力的提升，正逐步缩短着这一距离。随着持续的研发投入和技术积累，中国在光刻机领域的未来充满希望，有望在全球半导体产业中扮演更加重要的角色。